梁孟松，1952年出生，畢業(yè)于加州大學(xué)伯克利分校，中芯國(guó)際CEO，中國(guó)臺(tái)灣電子工程學(xué)家、電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)院士，被稱為“臺(tái)灣芯片魔術(shù)師”。早年曾在美國(guó)AMD公司任職。1992年，離開(kāi)美國(guó)，回到中國(guó)臺(tái)灣，入職臺(tái)積電擔(dān)任工程師和資深研發(fā)處長(zhǎng)。并在2003年，與IBM130nm銅制程之戰(zhàn)中一舉成名。

梁孟松帶領(lǐng)中芯國(guó)際團(tuán)隊(duì)在短時(shí)間內(nèi)攻克了14納米工藝技術(shù)難關(guān)，將公司的工藝良品率提升到95%，展現(xiàn)了出色的技術(shù)實(shí)力和組織能力。此外，他還帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)完成了從28納米到7納米工藝芯片的技術(shù)開(kāi)發(fā)，這是一項(xiàng)巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)，但梁孟松和他的團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)，為中芯國(guó)際在高端芯片市場(chǎng)取得突破提供了有力支持。

梁孟松在中芯國(guó)際的業(yè)績(jī)提升方面也發(fā)揮了重要作用。在他的領(lǐng)導(dǎo)下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了顯著的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，不僅提升了公司的市場(chǎng)地位，也為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。同時(shí)，他還積極推動(dòng)公司與國(guó)際先進(jìn)企業(yè)的合作，引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn)，進(jìn)一步提升了中芯國(guó)際的競(jìng)爭(zhēng)力。

早年，梁孟松在美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校電機(jī)工程及電腦科學(xué)系學(xué)習(xí)，并取得了博士學(xué)位。他的學(xué)術(shù)背景和專(zhuān)業(yè)知識(shí)為他后來(lái)的職業(yè)生涯奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

在職業(yè)生涯初期，梁孟松曾在美國(guó)AMD公司任職，積累了豐富的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。之后，他于1992年離開(kāi)美國(guó)，回到中國(guó)臺(tái)灣，加入了臺(tái)積電，擔(dān)任工程師和資深研發(fā)處長(zhǎng)。在臺(tái)積電期間，他負(fù)責(zé)和參與了公司先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)，是臺(tái)積電近500個(gè)專(zhuān)利的發(fā)明人之一。他在IBM 130nm銅制程之戰(zhàn)中一舉成名，展現(xiàn)了他深厚的技術(shù)實(shí)力和研發(fā)能力。

然而，由于在臺(tái)積電受到冷遇，晉升無(wú)望，梁孟松于2006年離開(kāi)了臺(tái)積電，并帶走了一批研發(fā)人員投奔三星，出任三星芯片部門(mén)首席技術(shù)官。在梁孟松團(tuán)隊(duì)的幫助下，三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域迅速崛起，其14納米制程量產(chǎn)比臺(tái)積電早了約半年，并從臺(tái)積電手中連續(xù)搶走了蘋(píng)果、高通的大單。但這段經(jīng)歷也導(dǎo)致了他與臺(tái)積電之間長(zhǎng)達(dá)四年的官司，最終梁孟松敗訴，被規(guī)定直到“競(jìng)業(yè)禁止期限”結(jié)束后才能返回三星。

2017年，中芯國(guó)際邀請(qǐng)梁孟松出任聯(lián)席CEO。他的加入使得中芯國(guó)際在技術(shù)上取得了顯著的進(jìn)步，尤其是在14納米、N+1、7納米等先進(jìn)制程的突破上。他的領(lǐng)導(dǎo)使得中芯國(guó)際在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位得到了提升，同時(shí)也為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。